重庆8 英寸碳化硅（SiC）衬底工厂投产

　　碳化硅晶圆尺寸越大，单位芯片成本越低，从6 英寸向8 英寸转型升级是产业发展的大趋势。此前，媒体很早就曾提出“8英寸碳化硅元年”，但大多停留在炒概念阶段。

　　但这次碳化硅8 英寸时代的脚步真的已经临近，意法半导体（STM）和三安共同开展建设的重庆8 英寸碳化硅（SiC）衬底工厂已提前2 个月开始生产。该工厂标志着对中国电动汽车供应链的投资风向，集成了汽车级SiC 衬底、外延和芯片的研发和制造。据悉，三安意法碳化硅项目总投资约300 亿元人民币，全面运行后预计年营收将达到170 亿元人民币。

　　重庆工厂将成为中国蓬勃发展的电动汽车市场SiC 衬底的主要供应商，年产能为48 万片8 英寸SiC 衬底和车规级MOSFET 功率芯片。这里生产的SiC 芯片将用于关键的电动汽车部件，例如主驱动逆变器和车载充电器。