别慌，再稍微等等 2017年末存储市场解析

　　从2016年开始疯狂上涨的SSD市场价格在整个2017年几乎都没有任何的下滑迹象，直到2017年末才有了一点点似乎将会回落的迹象，这让不少计划在2017年全面更换SSD的玩家感觉有些不值而继续观望着；另一方面，存储市场的灾难还不仅限于SSD，内存也是重灾区，其价格从去年以来也是一路走高，尤其是在10月份左右一波猛烈的涨价更是将内存的价格拉高到了去年同期2倍以上的价格。这一班存储市场的过山车，何时才能从峰顶跌落？

　　“你有房吗？”

　　“没有”

　　“有车吗？”

　　“没有”

　　“什么都没有，你还好意思跟我提结婚的事儿？”

　　“我有两大箱DDR4内存条”

　　“亲爱的，早说嘛！走！今儿下午就登记去”

　　……

　　从9月以来，类似关于存储产品，尤其是内存相关的段子在网络上可说是层出不穷。这一方面反映了玩家对存储市场无可奈何且怒其不争的心态；另一方面则是真实地折射出了这一年来存储市场过山车般的刺激现状。坦白讲，2017这一年对大多数DIY玩家来说都是“不好过”的一年，前有SSD从2016年底开始上扬价格，接着从2017年中期开始受“挖矿”的影响，导致游戏显卡市场几乎出现了“崩盘”的情况，而最后，进入2017下半年的时候，好不容易显卡市场逐渐步入理性状态，但内存一波猛烈的涨价直接将价格推上了同期对比翻2倍的高度。以至于不少玩家都戏言，连攒个机都要回到“解放前”，有这么难吗？

　　坐上过山车的存储市场风云变幻

　　随便拉出几条从去年同期到现在的任一闪存存储产品的价格曲线，我们都能清晰地看到其价格的变化趋势就是一路走高。其中最具代表性的就是SSD，我在这里随便画出了两款产品的历史价格曲线统计，分别是三星850EVO250GB和影驰铁甲战将480GB。从价格曲线上，相信大家都能看到，SSD产品的价格从2016年后期开始，就开始出现了涨价的苗头。而在经过一年时间的发酵之后，可以看到其价格几乎是呈阶梯式的上涨趋势—每隔一段时间涨一次价，然后稳定一段时间，然后再涨一次价。不过从价格曲线分析上也能清楚地看到，从今年9月以来，SSD市场的价格已经慢慢平稳了下来，直到截稿时尚没有进一步上涨的势头，而且不少产品也出现了一定程度的价格回落趋势，比如影驰的铁甲战将就已经开始主动回落价格来争取市场。而对于大多数SSD厂商的产品来说，目前虽然还没有明确的降价的行动，但这一趋势已经被绝大多数玩家认可，SSD产品的价格从2017年底开始有望逐渐回落到正常的空间。虽然不一定能回到2016年中期甚至千元左右就能买到部分1TB容量的产品的“超级划算时期”，但SSD价格在平稳中逐步下滑，我认为在2017年底的确是可以期待的。

　　相比SSD，内存市场更让玩家们吐槽不已，我甚至认为用过山车来形容DRAM市场的风云动荡甚至都还不足以描述其实际状况。我记得很清楚，2016年8月左右，我在电脑城买了两条金士顿骇客神条Fury DDR4 2400 8GB单条，这在当时都还算比较不错的产品了，而且属于金士顿Hyper X的主流系列。但是，当时两条内存共16GB，我只花了500元！是的，你没有看错，的确是只花了500元就买到了16GB的DDR4 2400内存！再回过头来看到我截稿时的市场价格，同一款产品在京东商城的单条报价已经达到了900元左右，这基本已经接近3.5倍的涨幅！其实不光是金士顿，包括宇瞻、威刚、海盗船等主流内存厂商在内，几乎所有厂商的内存产品在这一年内都有2~3倍甚至更高的价格涨幅，而且不只是DDR4，就连已经“过气”的DDR3内存，也都有2倍左右的涨幅。这种价格疯涨的刺激，我觉得已经不足以用言语形容，甚至我认为显卡市场受“矿难”受影响的程度，都不足以和内存市场的疯狂相比较。

　　疯狂的现状，谁是“幕后黑手”

　　是谁导演了这一出存储产品价格疯涨的“大戏”？相信有细心观察过市场的玩家都能发现，从2016年10月左右开始，SSD和内存的价格基本每2~3个月都有10%左右的价格上扬，在前期，SSD的价格上涨较为明显，而内存那时价格上涨反而较为平稳。到了2017年9月前后，内存却来了一波猛烈且毫无征兆的价格飙升，导致其涨价的百分比幅度反而又超过了SSD。面对这种看起来十分迅猛的涨价趋势，不少玩家都有些懵—这到底是怎么了？

　　DIYer们应该不陌生，目前受灾较为严重的存储产品主要有三大类型—以SSD为主要应用代表的NAND Flash，以集成系统SoC为主要代表的小容量存储NORFlash以及以内存条为应用典型的DRAM。其中NOR Flash和普通玩家们的关系并不太大，我在这里也就不做过多的分析，我们主要来看一下NAND Flash和DRAM疯狂的背后，到底发生了什么？

　　SSD持续涨价，NAND产能与需求的双重压力

　　NAND Flash作为目前电脑及泛IT产业中最为主流的存储核心材料，其需求量一直以来都是处于居高不下的状态。尤其是在近几年来，SSD表现出了大幅取代HDD的趋势，市场对NAND Flash需求更是非常旺盛。不过我们从市场中观察也可以看出，其实SSD的价格在2014年到2016年下半年这段时间里，是一直处于逐步下滑的，以至于不少玩家都曾惊呼SSD彻底取代HDD的时代即将来到。在NAND Flash需求旺盛的市场下，SSD的价格却在逐渐下滑，这说明了NAND Flash在那段时间内的产能是饱和的，即产能是大于市场需求量的。

　　这种情况主要是得益于不断进步的NAND Flash制程技术，从5xnm级到3xnm级再到1xnm级，制程技术几乎每一年都会前进一步，而每一代制程工艺的进步，都会到来产能爆炸式的增长，有数据统计，从5xnm制程工艺到1xnm制程工艺，NAND Flash的产能在相同的生产条件下，增加了近80%。而NAND Flash的颗粒结构上也是不断地在演化进步，从SLC、MLC到TLC乃至QLC，存储颗粒架构的不断改进，使得单颗粒的容量也有了较大的进步，从另一方面也助长了产能。所以我们能看到2014年到2016下半年这段时间里，虽然市场需求量持续增长，但SSD的价格反而在持续下跌，这就是产能大于需求的最直接市场表现。

　　不过到了2016年后半年，业界发现已经非常成熟的1xnm NAND Flash制程工艺出现了不可避免的问题—这就是寿命与容量已经逼近了极限。在3xnm制程工艺时代，MLC NAND Flash的寿命可能在5000次（擦除/写入）上下，甚至某些优秀产品可能逼近10000次擦除/写入寿命。但到了1xnm的TLC NAND Flash时代，这个寿命就已经被“浓缩”到了千次左右。制程工艺的进步虽然带来了单位容量的扩张与成本的收缩，但NAND Flash的寿命在传统工艺下也是逐渐缩小的（NAND Flash的寿命主要跟可擦写绝缘层厚度相关，而制程工艺越小，绝缘层厚度越薄，寿命越短。我在这里就不作具体的技术解析了，玩家们可以自行作进一步了解）。

　　所以从2016年开始，各大厂商逐渐意识到了1xnm制程工艺似乎已经是传统架构NAND Flash的极限，再继续进化缩小制程，所带来的不可避免的后果就是擦写寿命的进一步降低，比如不少厂商都曾表示如果基于1xnm工艺，QLC颗粒很有可能只会有数百次甚至低于百次的擦写寿命。在这种情况下，消费者是否还愿意为之买单？显然，此时再考虑去如何进化制程工艺并不能真正解决问题，必须另寻途径。很明显，业界在这个时间点所考虑的都是如何解决产品寿命与产能/容量之间的矛盾关系，既然无法从制程上做文章，那么就要想办法在现有甚至更低一级的制程工艺下，实现高容量，这个解决方案就是3D NAND Flash。

　　3D NAND Flash技术在MC之前的文章中也曾多次做过详细的解析报道，我在这里就不赘述。采用这种“多叠几层加容量”方法的3D立体架构工艺，相比传统的平面制程架构而言，显然最大的好处就是容量的成倍增长与价格成本的下降—叠越多层，容量越高，单位容量的成本越低。在3D NAND Flash技术支持下，即使采用3xnm工艺生产QLC颗粒，也能够获得接近甚至超过目前主流TLC颗粒的擦写寿命。一时间，厂商们似乎找到了新的方向，而SSD的市场价格似乎将朝向更美好的方向发展—进一步下跌！

　　可惜的是，实际与愿望总是相去甚远。3D NAND技术虽然带来了爆炸式增长的容量，但无奈每一个新工艺技术的出现都会经历良品率与技术成熟度的阵痛期。从2016年下半年以来，三星、东芝、海力士、美光等全球一线闪存颗粒厂商基本全部投入了立体架构技术NAND Flash的怀抱，大幅度缩减了传统2D平面NAND Flash的生产线。但是在3D NAND制程下，叠加越多的层数会导致良品率的直线下降，稍有瑕疵的话，整片晶圆就会导致报废。虽然在2016年底，32层3D NAND Flash逐渐趋于成熟，但在当时几乎所有的厂商在32层转48、64层的工艺上都遇到了较大的困难，导致良品率只有不到2D NAND Flash工艺的50%。而这，也正是从2016年10月左右一直到2017年8月以前，市场上NAND Flash大面积缺货的主要原因。再加上目前以智能手机为主要代表的移动端产品对NAND Flash的需求也是逐渐上涨。不但智能手机的产量逐年呈爆炸式增长，而且手机标配的ROM容量也从16GB、32GB逐渐迈向了64GB、128GB的主流，手机端抢占了电脑SSD这一市场很大一部分份额的NAND Flash需求，从而导致了SSD市场所需的NAND Flash不足，对NAND Flash颗粒价格占据了大半成本的SSD来说，这就必然导致了价格的持续上涨。

　　技术进步的趋势肯定不会让NAND Flash为了单纯追求产量而重新回到2D的“石器时代”，这是一条“开弓没有回头箭”的道路。而且32层、48层3D NAND Flash肯定远不能满足厂商们的胃口，64层、128层乃至更高层数的3D NAND工艺或许才是厂商们的终极目标。坦白说，这就像是一场三星、美光、东芝等上游厂商之间的军事装备竞赛，谁先能使其成熟，谁就能在市场上把握更大的话语权。不过在3D NAND技术彻底成熟之前，市场仍然需要经受良品率低带来的阵痛。不过我可以预期的是，3D NAND Flash生产线必然会全面取代2D生产线2D NAND Flash的产量将会慢慢减少甚至消失。而且从目前市场的情况来看，各大上游厂商的48、64层3D NAND工艺已经在2017年下半年慢慢成熟，良品率有了较大的提升，加上三星等厂商已经完成了64层3D NAND的量产，而在全力研发96层乃至128层的3D NAND工艺，或许这一场从2016年下半年开始的SSD价格寒冬会在2017年底开始慢慢回落，逐渐回到正常点的市场轨道上来。事实上，就在我截稿时，市场上部分SSD产品已经出现了降价的苗头。根据知名机构集邦半导体观察（DRAMeXchange）发布的预估结果，2017下半年各闪存颗粒一线大厂已经先后投入64层的3D NAND量产，只要能够维持基本的良品率，3D NAND Flash的产能就能大幅成长，而且它们预计2017年底3D NAND的容量产出占整体NAND的总产出容量将可达70%左右，这也必然会明显改善NAND Flash的供货状况。

　　内存的“黑暗”时代，谁动了台式机应有的蛋糕？

　　和NAND Flash不一样，内存条所使用的DRAM在产能上的进步基本都由制程工艺直接决定。DRAM这种易失性的存储原理并不像NAND Flash那样会在存储过程中消耗绝缘层，所以更小更先进的制程工艺基本不会影响它的寿命。既然没有经历从2D到3D转变的阵痛期，那为何内存条的价格仍然是一直持续上涨？今年下半年更是来了一次急速的攀升呢？

　　前段时间有不少玩家都在热议“阴谋论”，说是三星由于遭受包括Note7在内的一系列变故之后，想要在其它领域“找回损失”，于是作为闪存上游巨头的它就导演了包括NANDFlsh和DRAM在内的这一幕涨价大戏。不过我认为对这种所谓“阴谋论”大可一笑置之，这种毫无根据的捕风捉影对真正的市场观察是毫无意义的。所以，我更愿意从理性的角度上去解读内存条的这一波涨价风波。如果说NAND Flash的涨价主要是由于制程进化导致良品率下降这种不可抗“天灾”所致的话，那么内存条疯狂的涨价，我认为更像是DRAM产业带来的“人祸”。

　　首先仍然是产能上的问题。虽然之前说过DRAM目前制程工艺技术都已经非常成熟，也暂时没有大规模更新制程的迹象，但我们要看到的是，DRAM和NAND Flash的上游生厂商基本是完全一样的！在厂商将重心转向3D NAND Flash的生产制造时，DRAM的生产线不可避免地会受到一定的影响。举个例子来说，某厂商所有的生产线一年能产出10万片存储类IC晶圆，NAND Flash和DRAM各占50%。而现在厂商全力抓3D NAND Flash的生产技术进化，将其中70%的生产线都投入到了NAND Flash生产中来保证尽可能地抵消良品率过低的影响，那么传统的DRAM的生产线就从50%变为了30%，产能自然会受到不小的影响。

　　其次，2017年下半年，全球最大的DRAM制造商之一的美光，其位于我国台湾省桃园的工厂车间发生了生产机台的氮气净化污染，虽然不清楚当时有多少晶圆受到污染而直接报废，但从媒体的各方面报道来看，受损的晶圆数量至少是数以万计。而更重要的是，受影响的生产机台和生产线，在很长的一段时间内都无法恢复正常。这直接冲击了2017年第三季度面对各大内存厂商的DRAM供货。面对如此大的缺口，即使内存厂商们全力以赴，也难以填上这个窟窿，因此在2017年的第三季度，我们毫不意外地看到内存条的价格在这一大刺激下再度冲到了一个新的顶峰—部分8GB的DDR42400内存已经到了千元左右这个不可思议的价格。

　　第三，也是最重要的一点，市场需求量持续旺盛导致的供求关系变化。看看PC的内存配置，在两年前的2015年，4GB内存都还算是中高端主流配置，但是到了2017年，你会发现新装机基本都是8GB内存起步，16GB内存算是标配，32GB或更大容量的选择更是屡见不鲜。虽然整体PC市场经过这么多年来一直都在缓步下滑，但对内存的需求却是逐渐水涨船高。另外一方面，也是最重要的—来自手机市场的强大竞争与抢单的能力。5年前，智能手机配置1GB的内存都算是主流，而到今天4GB内存似乎已经成为安卓智能手机的起步配置，6GB甚至目前只有少部分机型才配置的8GB内存，才能称得上是准高端，不久的将来，手机配置16GB内存也完全是有可能的事情。君不见就连一向坚持2GB内存就足够满足所有应用需求的AppleiPhone，都已经悄然导入了3GB内存配置。智能手机市场需求量和销售量的逐年升高，而手机内存容量配置也是在飞速提升，这一切都导致了手机端对DRAM的需求攀升到来了一个非常“恐怖”的程度，甚至有超过台式机需求的趋势。哦，对了，还有一个和PC内存抢饭碗的小兄弟—笔记本电脑。随着硬件技术的进步，笔记本电脑与台式机的性能差距正在逐渐缩小，如今的笔记本电脑，尤其是游戏笔记本电脑，内存的配置基本都是8GB起步，16GB或更高的机型也是屡见不鲜。

　　本就已经“僧多粥少”，再加上美光工厂事故那样的“人祸”，导致可供分配的“粥”更少。以手机和笔记本为主要代表的移动市场极大地抢占了属于台式机内存的配额，DRAM的“人祸”导致PC内存条价格猛涨，步入了可以说是历史上“最黑暗”的时代，自然也就在情理之中。

　　买不买？啥时买？

　　分析完市场，让我们回到原点—在当下这个时间点，面对走高的SSD市场与已经疯狂的内存市场，玩家们到底买不买？啥时候买？

　　首先来看SSD市场，可以明显地看到，随着2016第三季度各大NAND Flash颗粒厂商在48、64层3D NAND Flash制造工艺上的成熟，在很大程度上弥补了一部分之前工艺转换期间导致的NAND Flash大面积缺货的情况。从价格上来看，SSD在步入10月之后，已经开始表现出一定幅度的下降趋势，随着各大厂商3D NAND Flash的大量产出，这一价格下滑的趋势应该会成为一段时间内的主流，持续到2018年初应该是问题不大。从实际的市场情况来看，到笔者截稿时，240GB/256GB以及480GB这种主流级的SATASSD市场，其产品的价格相比去年价格正常时（合理涨价区间）目前仅有100多元的差别，M.2SSD的价格目前仍要稍高一些。而到2017年底，我估计SSD市场的价格将逐步回归到理性的道路上，当然前提是美光工厂那种“惨剧”不再上演。

　　因此，对于要购买或升级SSD的玩家来说，等到2017年底或2018年初再出手，或许能获得更高的性价比。毕竟那时候三星的64层V-NAND应该已经大量量产，而东芝、美光、海力士等也应该跟进了64或72层的成熟3D NAND工艺，市场需求量应该能得到很好的满足，价格继续下滑几乎已成定局。

　　其次，来看内存市场。虽然不少厂商都已经针对2017年Q3和Q4进行了提前备货，但也架不住庞大的市场需求量。而且芯片晶圆这样的产业并不像MP3、手机这类OEM生产制造行业有着很低的门槛。闪存晶圆行业有着极高的门槛，而且几乎所有的资源都集中在三星、美光和东芝这三家厂商手里，新厂商乱入打破市场格局的想法基本不可能实现。我一向不喜欢散播“阴谋论”，并不认为这种局面是三星、东芝、美光等联手为之，而更愿意承认这是由于产能和需求之间产生了较大的裂缝所致。在我看来，目前上游硅晶圆供应商产能不足以满足三星、东芝等颗粒厂商的需求，而三星等颗粒厂商的产能又不能满足市场的实际需求，即使上游厂商火力全开，也是难为“无米之炊”。在我看来，这一场内存的涨价风波，在2018年Q2之前，基本看不到快速滑落的迹象。只能寄希望于颗粒厂商在完成3D NAND的技术转型之后，能将更多的精力放在DRAM上，来满足电脑市场的正常需求。而在那之前，作为一向性价比的崇拜者的我，还是建议大家不是必要的话，最好还是继续等！如果不出意外的话，2018年Q2之后，内存的价格将有望小落到一个相对合理的价格上，到那时再出手也不迟。而在那之前，无论是SSD还是内存，我都建议大家—等！再等等！但是也正如群联电子董事长潘健成先生所说一样，由于3D NAND颗粒在明年下半年很可能随着智能手机的标配变为128GB而再次变得紧俏。所以对于想要购买SSD的玩家，我个人觉得最恰当的时机应该会出现在明年的1、2月左右，拭目以待！

　　厂商的声音：MC独家专访—群联电子

　　存储涨价的背后故事

　　这一年来闪存的价格波动根本是源自于供需问题。从2017年度来看，NAND Flash的需求相当强劲，全球智能手机闪存容量需求持续每年增加，另一方面，SSD随着数据中心及企业级服务器导入应用需求亦明显提升。不过，虽然闪存的产品应用需求强劲，但是相对应的供应量却受制于各大NAND Flash制造商晋级至3D制程转换良率不稳定，因此供给明显跟不上需求。NAND Flash供不应求的缺口在2017年随着各季度淡旺季反应也有所不同，因此前阵子可以明显看到闪存产品价格波动较以往来得剧烈。

　　我认为，近期消费性应用产品的需求进入传统淡季，价格已回跌，未来两个季度将会是供需较为平稳的状况。不过，2018年智能手机存储容量将提升至128GB成为标准配置，而车用内嵌式闪存需求将会明显增加。目前3D NAND Flash良率提升速度较为缓慢，所以预料明年下半年有可能还会呈现出严重供不应求的现象。展望2018年，群联电子的产品计划持续在IP、IC以及成品上将持续全方面向前推进，包括有闪存的控制芯片方面，将会持续在各主要应用市场推出新产品，包括智能型手机、车用相关的eMMC/UFS等控制芯片、以及提供给PC/NB、企业级服务器、以及电竞相关应用的SSD控制芯片。在成品模块产品方面，将会推出适用于工业级、医疗级、交通、物联网应用之智能工厂、及自动化机器人设备等闪存应用产品。群联电子持续开发闪存前瞻性的芯片技术，并推出符合市场需求之新产品，以助力全球各地的品牌客户将市场份额极大化。

　　厂商的声音：MC独家专访—影驰科技

　　存储涨价背后的故事

　　闪存存储产品70%~80%的成本来自于闪存颗粒，所以闪存存储产品的市场价格波动，也可以理解为是闪存颗粒价格变动导致的。价格变动，总是离不开市场的供需关系。这次闪存存储产品长时间大幅上涨，闪存颗粒缺货是主因。目前具备生产闪存颗粒的厂商只有三星、东芝、海力士等为数不多的几家，它们几乎垄断了全球90%以上的市场。而现在闪存颗粒正处于2D NAND向3D NAND的技术转型期，除了三星、东芝拥有较成熟的生产工艺外，其他家的3D NAND良品率并不高，产能严重不足，导致供应无法满足庞大的市场需求。各大SSD厂商在争夺本就不够的闪存颗粒，必然会在竞争中抬高NAND Flash的出厂价。

　　另外，过去两年来，大存储容量手机出货量猛增，尤其是在前段时间发布的iPhone X、Galaxy Note8、小米Mix2等等，都是千万级别的销量，消耗了大部分闪存颗粒，致使其供应更加紧张，僧多粥少，SSD首当其冲深受影响。

　　再看内存。从影驰的观点来看，未来一段时间DRAM颗粒市场价格仍然呈现上涨的趋势。目前三星、美光等主要DRAM厂商都无意增产DRAM颗粒，而是将更多的精力投入在3D NAND中，DRAM的颗粒供求关系将进一步失衡。所以可以预估的是，在未来一段时间内存的价格会继续上涨。想要入手内存条的用户，现在相对而言不为一个好时机。而SSD的情况要比内存好一些，虽然现在仍处于技术转型期，但是3D NAND一旦突破技术瓶颈，提升良品率，就将得到大规模应用。与此同时，三星、东芝、海力士等厂商也释放出积极信号，针对3D NAND的新工厂也将于不久后正式开工生产。目前闪存颗粒供应紧张的局面将得到极大缓解，价格有望逐步回落。

　　在产品上，影驰将坚持以用户需求为出发点，加强产品和技术创新，不断提升影驰存储产品的性能和容量，创造影驰存储特有属性；开拓更多企业和个人群体，通过提升产品品质和耐用性，让更多人能够享受到高品质存储带来的极速感，并有意向企业级、工业级产品迈进；营造更佳的产品口碑，在现为国内一线的基础上，继续朝国际一流的目标前进。在技术上，我们将继续加强与合作伙伴群联电子的合作，通过整合双方平台优势及资源优势，深度开展技术上的交流。另外，我们也会围绕3D NAND，不断打造更多高容量、更性能的存储产品。

　　文/小艾 果果