浅谈电力电子产业中功率半导体器件的发展

  • 来源:消费电子
  • 关键字:发展,电力电子技术,趋势引言
  • 发布时间:2024-01-24 21:34

  张小宁 陶红玉 李志刚

  【摘 要】在工业生产中,电力电子技术占据重要地位。在产业发展中,落后的技术会阻碍发展,功率半导体器件作为电力电子行业发展的核心技术之一,对于电力电子产业发展具有重要影响。本文分析了功率半导体器件的重要性,对电力电子技术的未来发展趋势进行深入探究,并对功率半导体器件的发展提出几点合理化建议,为促进我国电力电子行业发展,加速产业进步提供思路和参考。

  【关键词】功率半导体器件;发展;电力电子技术;趋势引言

  二十世纪四十年代,贝尔实验室中的科学家们研究发明了金属点接触式晶体管以及PN结型晶体管,拉开了电子工业革命的序幕。此后,电子技术有着深奥内涵的物理名词成为一种广泛的科技概念,电子产业也加速发展起来,成为当前的一项核心产业。当前电子技术以微电子学和电力电子学为核心。微电子因为数字逻辑特征明显,功率范围较大,从千瓦到毫瓦都能实现应用;要控制特性的模拟,输出功率范围为千瓦到数百万千瓦。微电子学以逻辑器件的形式为大规模集成电路应用提供了技术支持,而电力电子学则依托功率器件推动电力发展。无论是微电子学还是电力电子学,其发展的最初形式都是半导体。电力电子是我国社会经济发展所必需的核心技术,广泛应用于新能源、电动汽车、家电变频、工业控制、智能网络等行业。和集成电路相比,功率半导体器件共识度还比较低,有关的资料也不健全,所以需要对其发展历程进行梳理,以预测我国电力电子技术的未来发展趋势。

  一、功率半导体的重要性

  功率半导体器件能够实现高效的电能处理目标,是半导体产品的杰出代表,更是连接弱电控制与强电运行的关键桥梁。随着目前我国社会经济、产业等不断发展,对于电能的需求不断增加,电能成为人类消耗较大的一种能源[1]。人类社会发展已经离不开电能的支持,不管是水电、火电还是核电等,都需要用电力能源的支持,且一些电力能源形式无法直接使用,需要通过半导体对能源进行转化,使其成为可直接利用的电能。目前,电子产品都需要功率半导体器件的支持。使用功率半导体器件,旨在实现节能环保,提升资源利用效率,让电能的使用更为便利。如,借助变频进行调速控制,可以达到50%-70%的节能效果,节能的同时也更为环保。

  在电池革命之前,一般需要通过高性能功率半导体器件为电源提供高效的管理支持,随着人们社会生活节奏的加快,他们希望通过一次充电可以获得更长的待机时间,而功率半导体器件的应用,真正实现了“粗电”向“精电”的转变,在节能减排、生态环保方面都发挥着积极作用。

  随着全球对绿色环保的关注度不断提升,功率半导体器件的应用也逐渐从以往的工业控制和4C产业,发展到新能源、智能电网、轨道交通等新领域。结合国际市场调研机构HISISuppliResearch数据报告情况,2011年,全球功率半导体市场在2010年大增37.8%以后,进一步增长到 6.7%,达到 331 亿美元[2]。而我国是其中最大的市场区域。我国功率半导体市场份额占世界市场50%以上。与微处理器、存储器等集成数字半导体相比,功率半导体的生命周期相对较长,一般为几年到几十年,无需快速减小功率半导体的尺寸,需要的生产工艺也不是很复杂,所以其生产成本更低,将其应用到大规模的集成电路中具有很好的经济效益。所以,在我国的产业发展中,功率半导体器件占据重要地位,对于缓解我国能源资源紧张问题,促进我国和谐社会建设都具有重要价值。

  二、功率半导体器件发展历程回顾

  功率半导体的发展史与功率半导体的发展史密切相关,但又相对独立。强半导体材料主要包括碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、硅(Si)、砷化镓(GaAs)等,这些材料与功率芯片生产的基板材料有关,一般功率半导体指的是器件的材料+结构[3]。

  现在半导体大多分为三代(也有说四代)。20 世纪 50 年代后,第一代半导体材料主要基于硅 (Si)和锗 (Ge) 材料生产发展而来,并得到广泛应用。其中,锗除了用于光纤、聚光器和高效太阳能电池外,由于稳定性差、生产成本高,应用并不广泛。硅材料主要应用于集成电路(IC)和功率器件的设计,目前应用广泛的是硅MOSFET和硅IGBT。

  砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)等材料自20世纪70年代出现后逐步被应用到第二代半导体材料生产中。第二代开放式半导体主要用于开发发光、高功率微波和毫米波电子器件,广泛应用于卫星通信、移动通信、光通信、GPS导航等领域[4]。但由于材料稀缺、成本较高,其使用仍受到很大限制。

  以碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)为代表的第三代半导体大多出现在20世纪90年代。第三代半导体材料因其带宽大于2.3 eV而被称为宽带隙半导体。由于其优异的材料特性,各种半导体可以在非常高的开关频率(GaN HEMT > 1MHz)、高工作温度(SiC MOSFET > 600 ℃)和低导通电阻(低至 1/1000)下工作。它在智能电网、电动汽车、轨道交通新能源网络连接、开关电源、工业电机和家用电器等领域不同于具有相同电压/电流额定值的硅基器件。其中,氮化镓在微波射频领域比前两代半导体材料具有更广阔的应用前景,而碳化硅电力电子器件的局限性则比传统硅基器件大得多。然而,目前第三代半导体的成本包括量产、效率损失、硬件成本、原材料等[5]。例如,碳化硅器件比硅器件贵5-8倍。根据《2018年第三代电力电子半导体技术路线图》,碳化硅产品的价格每年下降10%左右。根据成本降低系数计算,到2032年左右,碳化硅MOSFET模块的成本将与IGBT相同(假设IGBT模块的成本基本保持不变)。因此,近年来我们会逐渐在实际产品中看到碳化硅的身影,例如特斯拉Model 3中的电动转向控制器就采用了碳化硅模块。

  第四代半导体也称为超宽带半导体。主要包括β-Ga2O3、金刚石、AlGaN等。一般来说,学术界定义的超宽带半导体材料的带宽比GaN材料的带宽(3.4 eV)更宽。

  三、我国功率半导体产业发展趋势分析

  自功率IC诞生后,功率半导体产品也逐步从单一走向多元化,功率集成电路产品、功率器件得到了快速应用和发展,因为各代功率半导体产品的自身结构体系中也在不断更新,它们在各个领域也有其独特的生产应用优势,所以目前的功率半导体市场出现了多代产品并存的现象[6]。从功率半导体器件的发展来看,我国电力电子行业正在持续向前,由此衍生出很多的发展路径和产品,基于功率半导体器件的发展历程分析,可以对未来我国电力电子产业的发展趋势进行探究,笔者总结未来的电力电子产业的发展将呈现以下几点趋势:

  第一,产品质量和体积会持续缩小,更加便于携带,轻量化是必然趋势。

  第二,未来产品会尽可能减少电力转换中造成的损耗。第三,相关产品生产成本会持续下降,产品的研发周期也会不断缩短。

  第四,产品失效率会明显降低,产品可靠性将不断提高。

  第五,多代产品可以结合其功能以及价格特点,继续保持共存的局面。

  四、我国功率半导体产业发展建议

  当前,国际著名市场调研公司HISISuppliResearch公司2012年9月给出的全球前十大功率半导体供应商均是大型IDM企业,与此同时,排名前三位的功率半导体分立器件和模块供应商也都是整机单位。

  长期以来,我国功率半导体的作用尚未得到充分评估,国内功率半导体产业规模较小,总体分布不集中。而目前生产功率半导体的能力不断提升,技术持续优化,已经能够实现在12英寸晶圆上生产功率半导体。国内功率半导体及IDM企业基本已经完成了8英寸生产线的建设和应用。大多数国内半导体IDM企业传统上专注于硅基二极管、晶体管和晶闸管。国际主要产品为功率半导体器件、功率MOS器件和IGBT。宽带半导体近年来才引起人们的关注,尤其是微波半导体(SiCMESFET 和 GaNHEMT)。面向市场应用的宽带电力电子设备的研发才刚刚开始。尽管当今市场流行的高压BCD集成技术已引起IDM功率半导体器件制造商和IC代工厂的高度关注,但其发展水平与国际先进水平仍存在较大差距。虽然“专项02”支持硅/SOI基低压BCD技术和600V高压BCD技术的开发,但嵌入式FLASH存储器的高密度BCD技术仍然是空白。功率半导体是汽车电子的重要领域,但国内获得汽车电子产品认证的半导体却很少,绝大多数汽车功率半导体依赖国外进口[7]。

  在市场需求的拉动下,在国家政府项目特别是国家科技攻关项目“02”的支持下,我国功率半导体产业正在快速发展:拥有数条国产6英寸线、8英寸线功率半导体开始参与;深圳华为、株洲南车、北车永济、广东美的、国家电网等国内骨干装备(系统)企业已启动投资开发或建设,以IGBT为代表,实现了先进功率半导体生产目标。

  功率半导体是最适合中国发展的半导体产业,因为与超大规模集成电路相比,功率半导体具有资本投资低、生产周期长、市场重要性高等特点。英特尔、三星等半导体行业垄断企业(全球最大的半导体公司有100多家,其中前十大高性能半导体公司仅占全球份额的50%)占据着高性能半导体市场,但我国功率半导体的发展有望改变封装强于芯片、芯片强于设计的现状。对此,需要加强与整个工程企业的联系,大力发展工程技术,优化市场导向和配套设计,明确工程要支撑芯片开发,以芯片技术作为半导体发展的核心动力。而模型之所以弱于芯片,是因为设计性能较差。企业必须加强技术人才的培养和使用,积极建立产学研合作,积极推动科技型企业发展[8]。

  我国功率半导体产业的发展最终取决于IDM功率半导体。目前,我国的生产条件低于国际先进水平。IDM企业不能受限于自身产品线的产能,不能仅仅依赖国内巨大的半导体器件市场。对此,在市场拓展上,以技术为先,逐步从产品改进走向产品创新,推动整机发展;另外,大力发展设计能力。我们可以利用先进铸造线的生产能力,扩大产品线,加快业务发展,但同时也可以选择从芯片到器件、从芯片到模组、从模组到组件的发展思路。

  综合国际知名功率半导体企业尤其是功率半导体模块企业分析,系统应用完整的IDM企业拥有得天独厚的发展机遇。根据观研报告网发布的《中国功率半导体行业发展趋势调研与未来前景研究报告(2022-2029年)》显示,近年来随着工业控制、通信和消费电子等核心下游产业发展,我国功率半导体需求逐渐增多,行业市场规模持续增长。据数据,2021年我国功率半导体市场规模达183亿美元左右,较上年同比增长6.3%。可见,我国在功率半导体发展方面具有很大前景,而要把握功率半导体发展机遇,就必须要不断完善和发展,相关集成系统企业要关注提升自身业务能力,面对国际竞争时,能够通过技术领域的关键链条推动我国强大的半导体产业发展,实现技术革新,带动我国的电力电子产业健康、有序发展。

  总结

  我国的功率半导体器件经历了漫长的发展历史,在目前的电力电子市场中,功率半导体器件同时存在多种类型和代系产品,它们有着各自优势和应用价值。然而基于功率半导体器件的发展情况来对其未来趋势进行预测时,可以肯定的是,未来轻量化、节能型、经济型的产品研发将成为主流趋势。本文对我国的功率半导体器件发展提出几点建议,提出要以技术为支撑和引导,不断进行产品的创新,加速整机技术和性能改进,还要注重设计能力培养和强化,不断提升生产能力,加速业务发展,构筑发展新思路,旨在为我国当前的电力电子产业发展提供一些思路和参考。

  参考文献:

  [1] 胡强, 王思亮, 张世勇. 从功率半导体器件发展看电力电子技术未来[J]. 东方电气评论,2015,29(3):79-84.

  [2] 王鹤, 陈永禄. 电力电子技术在多电及混合动力推进飞机上的应用进展[J]. 西安航空学院学报,2023,41(1):54-60.

  [3] 任磊, 沈茜, 龚春英. 电力电子电路中功率晶体管结温在线测量技术研究现状[J]. 电工技术学报,2018,33(8):1750-1761.

  [4] 王来利. 先进功率半导体器件及其封装、集成与应用专题特约主编寄语[J]. 电工技术学报,2021,36(12):2433.

  [5] 邓隐北, 唐庆伟, 张子亮. 电力电子技术的现状及未来展望[J]. 磁性元件与电源,2014(1):150-154.

  [6] 张为佐. 电力电子技术的二十年及其未来- 思考走向信息时代的电力电子学[J]. 电源技术应用,2001(Z1):54-56.

  [7] 李许军, 坚葆林. 高压SiC 功率半导体器件的发展现状与挑战[J]. 集成电路应用,2020,37(2):30-33.

  [8] NORMAN DAY. 嘉兴斯达半导体高性能功率器件携手家电产业共创美好未来[C]. //2019《家电科技》学术年会论文集. 2019:1-32.

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