人人都买得起的高性能NVMe MLC SSD 建兴T10深度体验

　　从近期固态硬盘的发展趋势来看，毫无疑问，借助带宽优势、更低的访问延迟，以及针对SSD的各种优化，支持NVMe技术标准的SSD将最终取代基于SATA接口，采用AHCI协议的SSD。不过和很多新品类似，NVMe SSD在初期也存在价格偏高的问题，因此一些厂商又设计了采用TLC颗粒的NVMe SSD。然而多方测试来看，这样的产品在写入性能上与MLC产品仍存在很大差距，甚至在一些性能上不如SATA MLC产品。因此为了让消费者既能完全享受到NVMe的技术优势，另一方面也不会因为价格过高而买不起，经过长时间的努力，存储厂商建兴终于在近期推出了一款售价仅与NVMe TLC产品相当，但采用MLC颗粒的高性价比NVMe MLC SSD—建兴T10。那么它能否在性能上满足我们的需求呢？

　　外观更酷、散热更优 设计巧妙的外形

　　建兴T10采用了小巧的M.2 2280板型设计，同时在外观上，建兴T10也给人留下了与众不同的第一印象。跟那些完全裸露设计的M.2 SSD不同。建兴T10更类似于《微型计算机》评测室曾经测试过的阿斯加特M.2 SSD，在PCB板上配备了散热片。毕竟随着M.2 SSD性能的提升，其发热量也越来越大，特别是支持NVMe技术的主控芯片。经我们测试，一些纯裸露的高性能NVMe SSD在满载运行时，运行温度甚至会达到80℃以上，长期以往这对于芯片的工作寿命、稳定性都会有很大影响。因此通过可行的途径，加强M.2 SSD的散热性能也是必要的。

　　而考虑到如将M.2 SSD安装到笔记本电脑中，会对SSD的厚度有限制，因此这块小小的铝合金散热片也采用了可拆卸式设计，在必要时用户可将散热片拆下。当然更加吸引人的还是建兴T10内部所采用的核心芯片，其主控为群联出品的PS5007- E7主控。它支持NVMe 1.1b技术规范，内部采用四核心处理器设计，由28nm CMOS工艺打造，最大可支持读写8通道64CE闪存，即最多可同时读写64颗闪存DIE，而普通SATA 8通道控制器只能读写32颗DIE。其标称规格也比较突出，连续读写速度可达2600MB/s、1300MB/s，随机4KB读写性能最高分别可达30万IOPS与20万IOPS。同时，该主控还拥有提升闪存寿命与可靠性的SmartECC智能纠错技术，并支持AES-256bit加密技术。

　　最值得一提的是，建兴T10搭载的是东芝15nm MLC闪存颗粒，相对于TLC颗粒，MLC颗粒的写入性能与写入寿命都要好很多。虽然当前仍有很多SSD采用了MLC闪存，但作为一款搭载MLC闪存的NVMe SSD，它却有一个非常合理的定价。目前建兴T10共有120GB、240GB、480GB三款。其中120GB的售价在440元左右，240GB的售价为650元左右。相对于其他NVMeMLC SSD动辄千元的售价要实惠很多，其240GB的售价仅与采用TLC闪存的英特尔NVMe TLC SSD 600P 256GB相当，更远低于像饥饿鲨VX500这样的SATA MLC SSD(256GB售价在870元左右)，那么它在性能上的表现如何，低价是否能带来不错的使用体验？

　　远超NVMe TLC与SATA MLC 建兴T10 120GB测试

　　接下来我们将采用一款中高端SATA MLC SSD，来自于饥饿鲨的VX500 512GB，以及当前的NVMe TLC SSD主力英特尔600P系列256GB同建兴T10进行对比测试。而本次测试中，我们收到的是建兴T10中规格最低的120GB产品。一般而言，容量越大，固态硬盘的性能就越好，这是因为大容量SSD内含的闪存晶圆(DIE)数量往往更多，而闪存晶圆数量越多，SSD主控的并行读写性能就可以更完全、充分地发挥出来。因此在主控、闪存一致的情况下，大容量SSD的性能优于容量小的产品。那么作为最低规格的建兴T10 120GB，是否有能力战胜对手呢？

　　轻松战胜对手 基准性能测试

　　测试点评：AS SSD基准测试的结果显然让人有些惊喜，尽管建兴T10 120GB的容量最小，但它的性能却明显优于两位对手。同采用SATA 6Gbps接口的饥饿鲨VX500 512GB相比，凭借NVMe技术，以及高达32Gbps的带宽优势，它的连续读写、随机4KB读写性能都远超饥饿鲨VX500。其连续写入速度相对饥饿鲨VX500 512GB有近700MB/s的优势，饥饿鲨VX500的随机4KB读取性能也只有建兴T10 120GB的38%～58%。这也就意味着尽管像饥饿鲨VX500 512GB这类传统SATA MLC高端产品的定价高达1500元，但除了容量优势，它的性能却远不及建兴T10这类仅400多元的新形态主流NVMe MLC SSD。

　　而与英特尔600P系列256GB这类NVMe TLC SSD相比，结果则完全在意料之中。凭借MLC颗粒的先天技术优势，在写入性能上建兴T10 120GB相对英特尔600P系列256GB有大幅的领先优势，特别是在AS SSD中使用10GB容量文件进行测试，完全耗尽TLC SSD的缓存后，英特尔600P的连续写入速度仅310.07MB/s，甚至大幅落后于SATA MLC产品饥饿鲨VX500512GB，而建兴T10 120GB则凭借其采用的MLC颗粒，仍然拥有超越1100MB/s的高速写入速度。那么在实际应用中，建兴T10120GB是否也能拥有精彩的表现呢？

　　保持优势 实际性能测试

　　测试点评：没有意外，在实际应用中的测试结果与基准测试类似，凭借NVMe技术与MLC颗粒，不论是在大文件还是小文件写入速度上，建兴T10 120GB都有明显的优势。特别是在向其写入24.5GB影音文件时，其平均连续写入速度可达到1095MB/s。而SATA MLC SSD则由于带宽受限，平均写入速度仅能达到461.2MB/s。NVMe TLC SSD方面，虽然没有带宽瓶颈，但由于其SLC缓存耗尽后，必须直接写入到TLC闪存颗粒上，而TLC闪存颗粒的写入性能又十分有限，因此英特尔600P系列256GB最后的平均写入速度只有140.03MB/s，也使得它在完成写入任务时需要花费很长的时间。当然在执行游戏启动类的读取任务时，以及从NVMe TLC SSD读取文件时，英特尔600P系列256GB与建兴T10 120GB之间没有明显的区别。显然，NVMe TLCSSD仍只适合用于游戏盘、系统盘等偏重读取的任务。而在日常程序应用中，建兴T10的NVMe与MLC颗粒优势也能得到体现。

　　在PCMark 8存储测试总共读写6108MB数据(其中读468MB，写5640MB)的PhotoShop重载测试里，建兴T10的任务执行耗时比这两款对比产品少用时近9秒，同时在其他所有《魔兽世界》、《战地3》、INDESIGN、ILLUSTRATOR等游戏与软件读写任务中，建兴T10的耗时也是最少的。显然建兴T10 120GB这类NVMe MLC SSD相对于两款对比产品的优势还是很大的。

　　维护很方便 建兴NVMe SSD工具亮相

　　当然，和大部分SSD一样，为了延长颗粒的使用寿命，从我们的测试来看，建兴T10 SSD并没有设置太高的垃圾回收效率。在长时间使用的满盘状态下，其写入速度会出现一定的掉速。在我们的测试中，当使用IOMETER写入大容量文件(剩余30GB使用空间)，并运行6分钟随机4KB写入测试即“弄脏”全盘后，固态硬盘的AS SSD连续写入速度（10GB测试文件）将从1120.93MB/s下降到735.23MB/s，SSD整体性能会下降到初始状态的68%左右。固态硬盘的写入性能有比较明显的衰减，读取性能则没有受到任何显著影响。而考虑到这一问题，建兴此次专门为T10推出了名为“LiteOn PCIe Tool Box”的软件维护工具，类似于英特尔的SSD Tool Box。

　　该工具主要提供S.M.A.R.T（Self- Monitoring Analysisand Reporting Technology）硬盘监测数据报告，以及安全擦除功能。其中S.M.A.R.T可以提供给用户包括硬盘使用时间、工作温度、坏块警告灯诸多信息。而安全擦除则可以让用户轻松地将固态硬盘恢复到初始状态，只需点下“EXECUTE SECURE ERASE”，就可一键将固态硬盘的性能恢复到初始状态。当然，安全擦除将清除掉盘内的所有数据，包括分区信息，因此用户在进行安全擦除之前，一定要做好备份。我们认为建兴能为T10推出这一工具是非常值得称赞的，毕竟现在不少千元级的NVMeSSD都还没有相关的配套工具，这大大方便了用户对固态硬盘的维护。

　　性价比优势突出 大幅提升主流SSD性能

　　虽然从技术上来看，建兴T10 SSD采用的是群联PS5007- E7主控、东芝15nm MLC这些非常成熟的方案，并没有设计得多么前卫、激进，但建兴T10 SSD的性价比优势却鲜有对手能匹敌。凭借NVMe技术优势与MLC颗粒，仅仅是容量、规格最低的T10 120GB就可以轻松战胜NVMe TLC、SATA MLCSSD。虽然市面上还有其他NVMe MLC SSD，但它们要么没有小容量产品，要么价格较高—很多NVMe MLC 256GB容量的产品普遍就在800元以上。建兴T10 SSD最突出的地方就在于它的性能明显优于NVMe TLC、SATA MLC等主流SSD，售价却与它们差不多。这就像原来800元只能买到Core i3，现在800元能买Core i5一样，建兴T10的出现使我们从目前来看，只要你的主板拥有支持NVMe技术的M.2插槽，那的确暂时找不到首选NVMe TLC与SATA MLC产品的理由，除非它们后面迫于压力能够大幅下调价格。

　　文、图/马宇川