HBM4 初步规范发布，传输速度翻倍

　　全球半导体技术领域的权威组织JEDEC 宣布，备受瞩目的高带宽内存（HBM）DRAM 标准的下一代产品——HBM4，其初始规格已接近完成，预示着这一革命性内存技术即将进入量产阶段。HBM4 不仅将大幅提升内存容量和性能，还将为人工智能（AI）、高性能计算（HPC）等领域带来前所未有的创新动力。

　　以英伟达H100 为例， 如果采用HBM4，理论上可以减少芯片数量而保持相同的性能，这将大大节省空间并降低成本。此外，HBM4 还将进一步实现堆叠技术的提升，预计将从现有的8 层/12 层发展到16 层垂直堆叠，这将在同一物理空间内容纳更多的内存单元，显著提高内存容量和带宽。

　　为了实现HBM4 的高性能，各大存储巨头如SK 海力士、三星等都在积极研发先进的封装技术，如混合键合等，将显著提升HBM4 的可靠性和耐用性。例如，SK 海力士在HBM 4 中继续采用MR-MUF（批量回流模制底部填充）技术实现16 层堆叠，作为替代方案而出现的混合键合技术预计由于 HBM 标准放宽也将缓慢引入。