P55平台内存超频实战
- 来源:微型计算机
- 关键字:内存
- 发布时间:2010-06-29 15:45
笔者在对比了X58主板和P55主板的超频性能之后发现，P55主板的内存超频性能比X58更出色。原因是X58主板支持三通道内存，而P55只支持双通道内存，更容易对内存进行超频。只要经过适当的超频设置，很多在X58主板上超频表现平庸的内存，在P55主板上都摇身一变为“超频神条”。那么在P55主板上应该如何进行设置才能最大限度地挖掘DDR3内存的超频性能呢？
目前，支持英特尔LGA 1156平台的处理器是Core i7系列、Core i5系列和Core i3系列，主板则是P55和H55。英特尔为了细分市场，对Core i7系列、Core i5系列和Core i3系列处理器搭配的内存进行了相应的区分。以P55主板为例，在默认状态下，Core i7系列处理器搭配P55主板时，最高可以支持DDR31600内存。而Core i5系列和Core i3系列处理器在搭配P55主板时最高只支持DDR3 1333内存。这种区分主要是通过不同的内存倍频来实现的。因此，如果用户使用的是Core i5处理器（Core i3处理器）+P55主板的话，没有必要过分追求高频内存。在不超频的情况下使用的话，DDR3 1333内存已经足够。
DDR3内存等效频率的计算方法
在LGA 1156平台上，QPI频率、内存频率和CPU频率均是由BCLK频率（默认133MHz）乘以各自的倍频而来，即内存频率=BCLK频率×内存倍频。不过，不同的P55主板的内存倍频表示方法是不同的。部分P55主板的内存倍频为6、8、10、12。此时计算出来的内存频率为内存等效频率，例如133MHz×6=800MHz。而部分P55主板的内存倍频表示为3、4、5、6。此时计算出来的内存频率为内存实际频率，例如133MHz×3=400MHz，如果换算成等效频率还需要将实际频率×2（400MHz×2=800MHz）。
以P55主板为例，目前P55主板的BCLK频率的超频上限大概在220MHz左右。代入“BCLK频率×内存倍频”的计算公式中可以得知，使用Core i5和Core i3处理器时内存的最高等效频率只能达到2200MHz左右，使用Core i7处理器时内存的最高等效频率可以达到2640MHz左右。不过事实上，绝大多数内存不可能稳定运行在2640MHz的高频状态下。此时可以考虑手动调低内存倍频，或者保持默认内存倍频不变，调低BCLK频率。
DDR3内存各参数的设置技巧
DDR3内存的延时参数一般有17个，具体视不同的主板BIOS可选项而定。对普通超频玩家来说，只需掌握最前面的六个参数设置技巧即可。
这六个参数的顺序一般是固定的：Command Rate（简称“CR”）、CAS Latency（简称“CL”）、RAS to CAS Delay（简称“tRCD”或“tRTC”）、RAS Precharge（简称“tRP”）、RAS Active Time（简称“tRAS”）、Row Refresh CycleTime（简称“tRFC”）。一般来说，这六个值设置得越低，系统的内存性能就越强；而把这些参数值设置得越高，内存通常可以运行在越高的频率下（“高频高参”）。因此，DDR3内存超频的技巧就在于如何在内存时序参数和内存频率之间找到最佳的平衡点。
CR参数在AMD 754/939平台上早就为大家所熟悉，而在英特尔LGA 1156平台上，Command Rate设置值增加为：1T、2T、3T。并且该系数对系统性能的影响远远没有在AMD平台上那么明显，即使把CR设置为最保守的3T，对内存性能的影响也非常地微弱，其重要性要低于CL、tRCD、tRP等。在其余几个时序参数中，CL参数对系统性能影响最大，CL参数越低那么内存的读写速度越快，但同时也增加了内存的不稳定性。对大多数DDR3 1066/1333内存来说，CL设置为“8”或者“9”较为合适。当然，如果打算将内存超频至2000MHz以上的话，CL值就要相应地调高到“10”甚至“11”，这样可以提高超频的成功率。tRCD和tRP这两个参数对性能的影响相对较小，其数值越高，内存的稳定性越好。因此当内存无法运行在理想的CL值下面时，首先应该尝试调高CR值，如果还是不稳定的话再考虑调高tRCD和tRP的值，最后才考虑调高CL值。例如一根DDR3 1333内存可以稳定运行在9-9-9-27@1T（分别对应CL、tRCD、tRP、tRAS、CR，下同）的时序下，我们将其超频到DDR3 1800后运行不稳定。这时首先应该将时序参数设置为9-9-9-27@2T 甚至3T。如果不稳定的话再更改为9-10-10-27@1T。如果在9-10-10-27@3T的情况下内存仍无法稳定运行时才考虑10-9-9-27@1T的参数设置。tRAS和tRFC这两个参数对超频幅度影响不大，这里建议先设置为较大值，例如27和98。等确定了前面三个参数的稳定值之后，再逐步将这两个值调低至24和88，以获得进一步的性能提升。总的来说，对系统性能的影响大小关系为：内存频率 > CL＞tRCD≥tRP＞CR＞tRAS＞tRFC。
实战超频
下面笔者就以Core i7 860处理器+微星P55-GD65主板的平台为例，介绍一下英特尔 LGA 1156平台的内存超频技巧。
测试平台：
CPU：Core i7 860
散热器：COGAGE True Spirit
主板：微星 P55-GD65
内存：金士顿DDR3 1333 2GB×2普条（采用尔必达AE-E颗粒）
显卡：GeForce GTX 260+
电源：航嘉多核DH6
（注：微星 P55-GD65的内存倍频表示为3、4、5、6，即计算出来的内存频率为内存实际频率。）
首先进入主板的BIOS设置界面适度增加内存的工作电压。DDR3内存的默认工作电压为1.5V，耐压极限一般在1.65V左右。实际上很多内存颗粒都需要1.7V～1.75V的工作电压才能完全发挥出超频潜力，因此笔者认为1.7V～1.75V的工作电压也是相对比较安全的。由于镁光D9、尔必达Hyper颗粒的耐压性比较好，所以很多厂商对这类内存条的官方建议工作电压为1.65V～1.9V。不过笔者不建议让内存长期工作在1.9V及以上的电压下，对大多数不追求极限的玩家来说，1.6V～1.75V是DDR3内存在超频状态下的理想工作电压。大家可以根据自己内存条的颗粒并且参考厂家建议值来进行设置。
笔者的Core i7 860处理器能够超频至4GHz（200MHz×20）。如果在BCLK频率为200MHz、内存倍频为6的情况下，内存等效频率将达到200MHz×6×2=2400MHz—绝大部分内存都难以达到如此高的超频幅度。于是笔者将内存倍频“MemoryRat io”设置为“5”，将内存时序调节选项“DRAM Timing Mode”设置为“Ma nu a l ”（手动模式），就可以进入下方的“Adva nc e DRAMConfiguration”内存时序设置菜单中对各个时序参数进行修改。
从稳定性出发，笔者先对内存时序做如下调节：CR=2T，CL、tRCD、tRP=10，tRAS=27，tRFC=98，其余参数保持BIOS默认设置。保存BIOS设置重新启动电脑以后，进入系统进行稳定性测试。待顺利通过测试后，重新进入BIOS设置界面将tRCD和tRP设置为9，并继续进行稳定性测试。如果通过稳定性测试，将CL也设置为9。顺利通过测试后再将CR改为IT，最后将tRAS设置为26。经过一番微调之后，市面常见的金士顿DDR3 1333 2GB×2内存最终稳定超频至DDR3 2000（9-9-9-26-98@1T）。
写在最后
经笔者实验，基于英特尔 LGA 1156平台的P55、H55主板虽然仅支持双通道内存，但其对内存的超频能力却非常高。很多普通的DDR3 1333内存条都可以超频到DDR3 1800以上。打算进行极限超频的朋友还应该为内存条添加散热片，做好超频前的散热准备工作。最后再根据本文介绍的超频技巧进行设置，这样才能充分发掘出英特尔LGA 1156平台的巨大超频潜力。
此外，内存颗粒对内存的超频性能影响甚大。根据笔者的实验，采用三星、镁光D9和尔必达颗粒的DDR3内存的超频能力最佳。
MC点评：在英特尔LGA 1156平台上对DDR3内存进行超频还需要注意，内存最终的超频幅度和BCLK频率息息相关，BCLK频率又影响着CPU、QPI频率。一旦提升BCLK频率，内存、CPU和QPI频率都会跟着提升。我们不能孤立地对内存进行超频，在提升BCLK频率时，还需要考虑其它设备的频率。此外，内存颗粒对DDR3内存的超频性能影响甚大。近期，我们将教大家如何识别超频性能优秀的DDR3内存，敬请关注《微型计算机》的相关报道。
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目前，支持英特尔LGA 1156平台的处理器是Core i7系列、Core i5系列和Core i3系列，主板则是P55和H55。英特尔为了细分市场，对Core i7系列、Core i5系列和Core i3系列处理器搭配的内存进行了相应的区分。以P55主板为例，在默认状态下，Core i7系列处理器搭配P55主板时，最高可以支持DDR31600内存。而Core i5系列和Core i3系列处理器在搭配P55主板时最高只支持DDR3 1333内存。这种区分主要是通过不同的内存倍频来实现的。因此，如果用户使用的是Core i5处理器（Core i3处理器）+P55主板的话，没有必要过分追求高频内存。在不超频的情况下使用的话，DDR3 1333内存已经足够。
DDR3内存等效频率的计算方法
在LGA 1156平台上，QPI频率、内存频率和CPU频率均是由BCLK频率（默认133MHz）乘以各自的倍频而来，即内存频率=BCLK频率×内存倍频。不过，不同的P55主板的内存倍频表示方法是不同的。部分P55主板的内存倍频为6、8、10、12。此时计算出来的内存频率为内存等效频率，例如133MHz×6=800MHz。而部分P55主板的内存倍频表示为3、4、5、6。此时计算出来的内存频率为内存实际频率，例如133MHz×3=400MHz，如果换算成等效频率还需要将实际频率×2（400MHz×2=800MHz）。
以P55主板为例，目前P55主板的BCLK频率的超频上限大概在220MHz左右。代入“BCLK频率×内存倍频”的计算公式中可以得知，使用Core i5和Core i3处理器时内存的最高等效频率只能达到2200MHz左右，使用Core i7处理器时内存的最高等效频率可以达到2640MHz左右。不过事实上，绝大多数内存不可能稳定运行在2640MHz的高频状态下。此时可以考虑手动调低内存倍频，或者保持默认内存倍频不变，调低BCLK频率。
DDR3内存各参数的设置技巧
DDR3内存的延时参数一般有17个，具体视不同的主板BIOS可选项而定。对普通超频玩家来说，只需掌握最前面的六个参数设置技巧即可。
这六个参数的顺序一般是固定的：Command Rate（简称“CR”）、CAS Latency（简称“CL”）、RAS to CAS Delay（简称“tRCD”或“tRTC”）、RAS Precharge（简称“tRP”）、RAS Active Time（简称“tRAS”）、Row Refresh CycleTime（简称“tRFC”）。一般来说，这六个值设置得越低，系统的内存性能就越强；而把这些参数值设置得越高，内存通常可以运行在越高的频率下（“高频高参”）。因此，DDR3内存超频的技巧就在于如何在内存时序参数和内存频率之间找到最佳的平衡点。
CR参数在AMD 754/939平台上早就为大家所熟悉，而在英特尔LGA 1156平台上，Command Rate设置值增加为：1T、2T、3T。并且该系数对系统性能的影响远远没有在AMD平台上那么明显，即使把CR设置为最保守的3T，对内存性能的影响也非常地微弱，其重要性要低于CL、tRCD、tRP等。在其余几个时序参数中，CL参数对系统性能影响最大，CL参数越低那么内存的读写速度越快，但同时也增加了内存的不稳定性。对大多数DDR3 1066/1333内存来说，CL设置为“8”或者“9”较为合适。当然，如果打算将内存超频至2000MHz以上的话，CL值就要相应地调高到“10”甚至“11”，这样可以提高超频的成功率。tRCD和tRP这两个参数对性能的影响相对较小，其数值越高，内存的稳定性越好。因此当内存无法运行在理想的CL值下面时，首先应该尝试调高CR值，如果还是不稳定的话再考虑调高tRCD和tRP的值，最后才考虑调高CL值。例如一根DDR3 1333内存可以稳定运行在9-9-9-27@1T（分别对应CL、tRCD、tRP、tRAS、CR，下同）的时序下，我们将其超频到DDR3 1800后运行不稳定。这时首先应该将时序参数设置为9-9-9-27@2T 甚至3T。如果不稳定的话再更改为9-10-10-27@1T。如果在9-10-10-27@3T的情况下内存仍无法稳定运行时才考虑10-9-9-27@1T的参数设置。tRAS和tRFC这两个参数对超频幅度影响不大，这里建议先设置为较大值，例如27和98。等确定了前面三个参数的稳定值之后，再逐步将这两个值调低至24和88，以获得进一步的性能提升。总的来说，对系统性能的影响大小关系为：内存频率 > CL＞tRCD≥tRP＞CR＞tRAS＞tRFC。
实战超频
下面笔者就以Core i7 860处理器+微星P55-GD65主板的平台为例，介绍一下英特尔 LGA 1156平台的内存超频技巧。
测试平台：
CPU：Core i7 860
散热器：COGAGE True Spirit
主板：微星 P55-GD65
内存：金士顿DDR3 1333 2GB×2普条（采用尔必达AE-E颗粒）
显卡：GeForce GTX 260+
电源：航嘉多核DH6
（注：微星 P55-GD65的内存倍频表示为3、4、5、6，即计算出来的内存频率为内存实际频率。）
首先进入主板的BIOS设置界面适度增加内存的工作电压。DDR3内存的默认工作电压为1.5V，耐压极限一般在1.65V左右。实际上很多内存颗粒都需要1.7V～1.75V的工作电压才能完全发挥出超频潜力，因此笔者认为1.7V～1.75V的工作电压也是相对比较安全的。由于镁光D9、尔必达Hyper颗粒的耐压性比较好，所以很多厂商对这类内存条的官方建议工作电压为1.65V～1.9V。不过笔者不建议让内存长期工作在1.9V及以上的电压下，对大多数不追求极限的玩家来说，1.6V～1.75V是DDR3内存在超频状态下的理想工作电压。大家可以根据自己内存条的颗粒并且参考厂家建议值来进行设置。
笔者的Core i7 860处理器能够超频至4GHz（200MHz×20）。如果在BCLK频率为200MHz、内存倍频为6的情况下，内存等效频率将达到200MHz×6×2=2400MHz—绝大部分内存都难以达到如此高的超频幅度。于是笔者将内存倍频“MemoryRat io”设置为“5”，将内存时序调节选项“DRAM Timing Mode”设置为“Ma nu a l ”（手动模式），就可以进入下方的“Adva nc e DRAMConfiguration”内存时序设置菜单中对各个时序参数进行修改。
从稳定性出发，笔者先对内存时序做如下调节：CR=2T，CL、tRCD、tRP=10，tRAS=27，tRFC=98，其余参数保持BIOS默认设置。保存BIOS设置重新启动电脑以后，进入系统进行稳定性测试。待顺利通过测试后，重新进入BIOS设置界面将tRCD和tRP设置为9，并继续进行稳定性测试。如果通过稳定性测试，将CL也设置为9。顺利通过测试后再将CR改为IT，最后将tRAS设置为26。经过一番微调之后，市面常见的金士顿DDR3 1333 2GB×2内存最终稳定超频至DDR3 2000（9-9-9-26-98@1T）。
写在最后
经笔者实验，基于英特尔 LGA 1156平台的P55、H55主板虽然仅支持双通道内存，但其对内存的超频能力却非常高。很多普通的DDR3 1333内存条都可以超频到DDR3 1800以上。打算进行极限超频的朋友还应该为内存条添加散热片，做好超频前的散热准备工作。最后再根据本文介绍的超频技巧进行设置，这样才能充分发掘出英特尔LGA 1156平台的巨大超频潜力。
此外，内存颗粒对内存的超频性能影响甚大。根据笔者的实验，采用三星、镁光D9和尔必达颗粒的DDR3内存的超频能力最佳。
MC点评：在英特尔LGA 1156平台上对DDR3内存进行超频还需要注意，内存最终的超频幅度和BCLK频率息息相关，BCLK频率又影响着CPU、QPI频率。一旦提升BCLK频率，内存、CPU和QPI频率都会跟着提升。我们不能孤立地对内存进行超频，在提升BCLK频率时，还需要考虑其它设备的频率。此外，内存颗粒对DDR3内存的超频性能影响甚大。近期，我们将教大家如何识别超频性能优秀的DDR3内存，敬请关注《微型计算机》的相关报道。
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