好马配金鞍 Skylake平台内存选购指南

  • 来源:微型计算机
  • 关键字:酷睿,Skylake平台,三星
  • 发布时间:2015-10-13 18:00

  Skylake平台的普及浪潮势不可挡,不过面对Skylake平台同时支持DDR3和DDR4的局面,让不少消费者犯了愁—我应该用DDR4还是DDR3呢?我应该选择哪款内存才能与我的Skylake平台最搭呢?本文中,笔者就和大家共同来探讨一下Skylake平台的内存选购技巧。

  2015年8月6日,Intel正式发布了代号Skylake的第六代酷睿处理器,与此同时各大主板厂商也迅速推出基于100系列芯片组的各型号主板以迎接Skylake处理器。由于Skylake处理器同时集成了DDR3、DDR4的内存控制器,因此100系列芯片组最突出的特点之一就是能够同时支持两种规格的内存。目前Skylake平台的主板按照所支持内存的不同可以分为三种类型:支持DDR3、支持DDR4、混合支持DDR3/4。

  Skylake平台的新特点

  目前市面上主流的100系列主板主要基于Z170、H170、B150三个不同级别的芯片组。作为旗舰级型号,Z170和其他型号最大的区别就在于能完整支持超频。Z170芯片组在规格上是最完备的,可提供20条PCI-E 3.0总线、6个SATA6 Gbps接口、3个SATA Express接口、10个USB 3.0接口、3个RSTPCI-E接口。在超频方面,Z170完全开放对K系列Skylake处理器倍频和外频的调节,并且对内存的超频不做限制。同时内存调节幅度也从200/266MHz缩小到100/133MHz,这意味着内存的超频调节将更加的细微和精确,能够更进一步榨干内存的潜力。H170芯片组则省略了对超频功能的支持,PCI-E 3.0总线削减为16条,USB 3.0接口降至8个,SATA Express、RSTPCI-E接口各减为两个。面向低端的B150芯片组同样不支持超频,并且只有8条PCI-E 3.0总线、6个USB 3.0接口、一个SATAExpress接口,并且取消了对RSTPCI-E接口的支持,不过依然保留了6个SATA 6Gbps接口。H170、B150芯片组只能支持最高频率为DDR3 1866和DDR4 2133的内存。这里还有一点需要提醒大家,虽然在Intel官方资料中标明的Skylake平台所支持的DDR3内存类型为DDR3L,也即是低电压版的DDR3内存,但其实在实际测试中发现,普通版本的DDR3内存在Skylake平台上也是完全能够正常使用的。

  市售DDR4内存产品分析

  在Skylake平台发布之前,唯一能够支持DDR4内存的只有X99芯片组。X99芯片组是定位于顶级高端平台的旗舰产品,支持四通道的DDR4内存。因此初期上市的DDR4内存一般都是以4条内存为一套的四通道套装产品,而且价格非常昂贵。随着Skylake平台的普及,目前双通道套装的DDR4内存型号也逐渐增加,而且经过几轮的降价之后价格更加的亲民,与DDR3内存的价格差距进一步缩小。

  在DDR4内存设计的初期,起步频率为DDR4 1600,这个频率对比DDR3内存明显没有优势,因此目前市售的DDR4内存起始频率已经提升为DDR4 2133,只有极少部分小品牌厂家还在销售DDR4 1866的产品。DDR4 2133~2600内存的工作电压一般都为1.2V,默认的时序一般都是CL15-15-15。DDR4 2800~3000内存的工作电压会提升到1.25V~1.35V,默认时序放大到CL15-16-16-35。DDR4 3000以上频率的内存工作电压都达到1.35V,默认时序会被厂家放大到16-16-16-36甚至16-18-18-36。

  现在主流的DDR4内存产品单条容量以4GB和8GB为主,极少发现有单条16GB及以上的产品。主要使用三星、海力士、美光三家的内存颗粒,其中以三星、海力士两家所占的比例最大,美光颗粒的产品较少。在DDR4 2400频率以内,使用这三家颗粒的内存产品,无论是单条4GB还是8GB,单面颗粒或者双面颗粒,其在性能、时序、电压等各个方面的特性都非常接近。当频率超过DDR4 2400之后,使用三星颗粒的产品,其时序要比海力士颗粒的产品放得略大,因此性能会略有下降。

  而DDR4 3333可以说是一道分水岭,使用三星颗粒的产品,在大幅度放宽时序参数之后,有不少都可以达到DDR4 3333甚至更高的运行频率。使用海力士颗粒的产品,即使放宽时序参数也只有极少部分能够超过DDR4 3333的运行频率。不过这极少部分频率能够超过DDR4 3333的海力士颗粒产品,其时序要比三星颗粒的产品更理想,因此在性能上更为强悍一些。

  DDR4 3200则是价格的分水岭,DDR4 2666/2800/3000这三个规格的内存单价差距并不大,不过一旦频率提升到DDR4 3200之后,价格几乎翻倍。市场上也有部分价格相对便宜的DDR4 3200内存,是选用了三星颗粒并且通过放大时序来实现高频率运行的,其效能和超频能力都较弱。而目前采用海力士颗粒,能够以低时序保证高效能并稳定运行在DDR4 3200频率下的内存产品还是相对稀缺,因此这部分产品的价格会比较贵。

  Skylake平台如何选内存

  结合Skylake平台中不同芯片组的各自特点,笔者建议为它们搭配不同类型和频率的内存。

  针对H170和B150主板用户

  首先来看看H170和B150芯片组。由于H170和B150芯片组最高只支持DDR3 1866或者DDR4 2133的内存,因此需要考虑的内存范围比较小。目前DDR3内存的价格已经降得非常便宜,相同容量的DDR3 1600与DDR3 1866价格差距并不大。很多DDR3 1600的内存在默认电压下可以直接超频到DDR3 1866,或者适当的放宽时序参数之后都可以超频到DDR3 1866。对于有一定超频经验的用户来说,可以选择价格更加低廉的DDR3 1600内存然后自己手动超频到DDR3 1866。对于那些没有超频经验的用户,则建议直接购买支持XMP的低时序DDR3 1866。目前市售的DDR3 1866内存时序一般为CL10或者CL11,两者价格差距也不大,所以建议直接购买CL10的产品以获得更好的性能。对H170、B150芯片组的用户而言,购买更高频的DDR3内存毫无必要。如果你选择的是DDR4版本的H170、B150主板,那么内存的选购则更加的简单。因为目前在很多H170、B150主板上,内存运行在DDR4 2133频率下的时序很多都需要放大到CL13甚至CL14,即便是使用DDR4 2400的内存也无法在DDR4 2133频率下获得更优化的时序。所以建议直接购买便宜的双通道DDR4 2133内存即可。而且DDR4内存的功率比DDR3内存还要小,因此预算有限的用户无需考虑带散热片的DDR4 2133内存。

  针对Z170主板用户

  相比之下,Z170主板的用户需要考虑的方面就要比前面的H170/B150用户多很多。首先是主板的选择,在这里笔者坚决建议用户不要考虑支持DDR3内存的Z170主板。

  目前支持DDR3内存的Z170主板在内存的兼容性方面远远不如Z97主板。很多在Z97主板上能够稳定运行在DDR3 2400 CL10/11甚至DDR3 3000 CL12/13的内存,更换到Z170主板上之后都只能运行在DDR3 2133 CL11~CL13。虽然Z170主板的BIOS中开放了各种内存频率给我们选择设置,但是如果开启XMP超频到DDR3 2400及以上频率时,绝大多数的情况下是无法启动。极少部分超频内存能够手动设置运行在DDR3 2400~3000的频率下,但是实际的效能还不如DDR3 2133 CL11。笔者猜测出现这种情况的原因很可能是由于目前Z170主板针对DDR3内存的BIOS还不够完善。但这仅仅是猜测,不排除Skylake处理器中集成的内存控制器对DDR3内存的超频支持本身就是如此的不友善。购买Z170的用户很多都是看中了主板的超频功能,所以还是应该选择更加完善的DDR4版本Z170主板。

  DDR4内存对比同频下的DDR3内存,在时序参数方面并无优势,甚至需要更宽松的时序才能稳定运行。DDR4内存的优势还在于频率的提升,而且DDR4内存有着频率越高,对时序参数的依赖性越小的特点。有经验的超频玩家都知道,在DDR3内存上获得最佳性能的频率范围是2400~2666。很多使用三星颗粒的DDR3内存在这个频率范围内可以凭借很低的时序参数获得最佳性能。而使用海力士颗粒的DDR3内存在这个频率范围内的时序参数不如三星颗粒的内存那么优化,因此在性能上会略逊于三星颗粒的内存。但是海力士颗粒的内存在放宽时序的情况下可以进一步提升频率,一些使用海力士MFR颗粒的体制好的DDR3内存甚至可以达到DDR3 3200的运行频率。不过由于时序参数不够优化的原因,导致这些DDR3内存在提高频率到2800甚至3200之后的性能反而不如2400~2666时那么好。DDR4内存的特点则正好纠正了DDR3这个高频低能的缺陷。因此,在运行频率同为2400~2666时,DDR4内存的性能可能反而不如DDR3内存,而随着频率的提升,DDR4内存不仅会反超DDR3,并且还会逐渐拉开两者之间的性能差距。

  由于Z170芯片组只支持双通道内存,无法像X99平台那样通过增加内存通道数来提高内存带宽,因此在Z170主板上提升内存带宽的方法只有依靠提升内存运行频率来实现。所以选择Skylake平台的超频玩家,不仅要选择支持DDR4内存的Z170主板,而且更有必要选择高频的DDR4内存,在这里笔者建议搭配DDR4 3000以上的双通道内存。

  文/林以诺

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