这款套装产品由两条单根容量为4GB的内存组成。同很多高端内存一样，要想达到DDR3 2666以上的频率，它只能选用高频工作能力非常强的海力士MFR 30nm颗粒。其每条内存采用单面设计，内存PCB-面板载8颗此类颗粒。同时，与其DDR32666“兄弟”类似，这款内存也配备了大型的梳子状铝制散热模块。该模块用料十足，非常高大、厚实，令内存整体的高度达到53.9mm，厚度达到7.24mm。而散热片顶部数量众多的锯齿状散热鳍片不仅可以进一步增大散热面积，也让处理器风冷散热器产生的气流可以更加容易地进入散热片，从而快速带走鳍片上的热量。
评测工程师采用英特尔酷睿i7 4770K处理器、287主板对这款内存进行了测试。在默认状态下，该内存的工作频率只有DDR3 1600。如想达到其标称的DDR3 2800，很简单，只要在BIOS内存频率选项打开XMP功能，保存并重启后，内存即会进行自动超频，并将电压设置为1.65V。超频后，内存频率上升到DDR32800，延迟设置为12—14 -14-32@2T。从测试来看，在DDR3 2800下，这款内存的性能不仅较带见的DDR31 600内存有近50%的提升，与其DDR3 2666“兄弟”相比，也有小幅的性能优势。同时，在DDR3 2800下，内存顺利通过了MemTest 200%覆盖率稳定性测试，表明这一频率对于该内存来说的确是可以长时间使用的。
此外，该内存还有一定的频率提升空间。如仍使用DDR3 2800频率下原有的延迟与电压设置，这款内存的频率最高可提升到DDR3 2868左右；如增高一些延迟设置，并小幅提升内存电压的话，则可获得更大的提升幅度。当我们使用12--15--14-32@1T延迟、1.68V内存电压设置时，成功地将内存频率提升到了DDR3 3000。不过需要注意的是，增加延迟也会带来性能上的损失，DDR3 3000下的内存带宽只有26GB/s。因此我们认为，高于或等于DDR33000的内存超频仅适用于追求频率的小众玩家。
综合来看，这是一款性能强悍的高端内存产品。稍显不足的是其价格过高，性价比差，在性能优势很小的情况下，售价比它的DDR3 2666“兄弟”高出近干元。
（马宇川）
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