英特尔3D晶体管只是暂时领先
- 来源:计算机世界
- 关键字:英特尔,3D,晶体管,领先
- 发布时间:2011-06-13 13:53
对此，ARM发言人表示，ARM对这个公告不感到惊讶。因为英特尔和整个行业一直针对这项技术工作了许多年，英特尔的技术只能部分弥补X86架构与ARM架构的差距。
要理解英特尔的3D晶体管，得从头说这个故事。3D晶体管的学术名称是FinFET，发明人是美国加州大学伯克利分校的1947年出生于北京的华人教授胡正明。
1999年，美国国防部（DARPA）出资资助胡正明研究CMOS技术如何拓展到 25纳米。当年胡正明发表了关于FinFET的论文，次年发表了达成同一目标，但采用另一种技术路线FDSOI的论文。胡正明没有申请专利，而是开放了这两项技术。
后来，发展出多种面向小于20纳米制程的晶体管技术。但近年来，胡正明的这两项发明渐渐成为主流，并且演变成两大门派：英特尔、英飞凌、三星、台积电从属FinFET阵营，ARM、IBM、意法半导体、法国Soitec、中国台湾联电国际从属FDSOI阵营。
按照胡正明的解释，FDSOI的技术复杂度要低于FinFET，难点在于要在晶片上生成只有5纳米厚的硅膜。而FinFET的难点在于要放弃成熟的平面型晶体管技术，开发立体技术。他还指出，FinFET适合高性能芯片，FDSOI适合低功耗芯片。
2007年，英飞凌宣布在FinFET上获得突破。当时英飞凌高层宣布，已经掌握了工艺，并称“英飞凌会保守秘密，直到新的晶体管实现大批量生产之时”。去年8月，英飞凌被英特尔收购。
2008年，法国Soitec宣布在5纳米硅膜上获得突破，而这原先被胡正明认为“极为困难”。这项突破被胡正明评价为“这为FDSOI技术的实用化铺平了道路”。今年2月，致力于推进FDSOI的国际组织SOI工业联盟演示了ARM和IBM合作的FDSOI芯片样片，功耗减少40%，性能提升80%。
故事至此，就可以明白，ARM对英特尔宣布3D晶体管不感惊讶是有些道理的，也是有底气的。事情并不像许多媒体评论的那么简单。
现在的形势可以这样解读：ARM在移动计算机上优势明显，并不着急，英特尔着急。ARM对FDSOI有信心，了解FinFET的底细，因此并不急于出招。当前最大的看点是英特尔基于FinFET技术的22纳米产品到底功耗如何，与ARM之间的差距到底能缩小多少。这将决定ARM会如何应对。
也许，胡正明对两种技术的分析可以作为最权威的判断：“我认为这两种技术都有可能实现并拥有各自的市场，而且在未来很长一段时间内，两种技术会长期并存”。
基于此，老鬼阿定认为“英特尔只是暂时领先”。
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