中国22纳米技术获重大突破

　　中国科学院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心通过4年的艰苦攻关，近期在22纳米关键工艺技术先导研究与平台建设上实现了重要突破，在国内首次采用后高K工艺成功研制出包含先进高K/金属栅模块的22纳米栅长MOSFETs，器件性能良好。由于这一工作采用了与工业生产一致的工艺方法和流程，具备向产业界转移的条件，因而对我国集成电路产业的技术升级具有实际意义上的推动作用。同时，该中心还建成了一个能够开展22纳米及以下技术代研发的工艺平台，这将对后续项目发展起到非常重要的作用。

　　先导工艺研发中心取得的成果标志着我国已具备了高端集成电路先导工艺研发的能力，处于世界领先地位，因为到目前为止，全球只有英特尔公司在22纳米技术代实现了大规模生产。据悉，在该项目的执行过程中，微电子所与北京大学、清华大学、复旦大学以及中科院微系统所的联合项目组完成了1369项专利申请，其中包括424项国际专利申请，为我国在集成电路领域掌握自主知识产权、取得国际话语权奠定了基础。

　　先导工艺研发中心是2009年，在国家科技重大专项02专项的支持下，由微电子所建成的，中心拥有200多名研发人员，其中包括大批海归人才。此前，我国曾有过几次建设集成电路研发中心的努力，但都没有达到预期战略目标。中心面对着国家数亿元的大投入和高期待，以及业界同行的高度关注，承受着巨大压力。2012年4月，该项目第一个验证工艺设备器件研制成功，随后仅在7个月内，6个批次的流片实验便全部一次成功，团队按时完成了工艺整合集成的项目任务。目前中心正在着手开展16/14纳米技术的研发，而下一步，该中心将加入专项部署的更大规模的研发任务，把先导技术转化成工业生产技术。

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